东芯股份(688110)机构调研纪要：中小容量存储芯片市场机遇与挑战

2025年1月8日，东芯股份接受了多家机构的调研，涵盖了产品价格趋势、海外厂商退出影响、汽车电子布局、利基型DRAM产品线以及NOR Flash产品市场等多个方面。

调研显示，一季度存储芯片需求淡季，公司产品价格较为平稳。公司认为，三星已退出SLC NND市场，其他海外厂商如美光、海力士、铠侠等也可能逐步退出小容量NND市场，利基型DRAM市场将主要由大陆和台湾厂商主导。

在汽车电子领域，东芯股份的SLC NND Flash和NOR Flash产品已通过EC-Q100测试，并实现销售，未来将继续拓展车规级产品线。公司利基型DRAM产品涵盖标准DDR3、低功耗LPDDR1/2/4X等，并计划持续扩充产品品类。

针对NOR Flash产品，东芯股份基于48nm和55nm制程，研发64Mb-1Gb中高容量产品，并根据不同客户群进行精准定位。其应用领域包括消费电子、网络通信、电力电表、PC和服务器等。

东芯股份2024年三季报显示，公司主营收入4.47亿元，同比增长20.44%；归母净利润-1.3亿元；扣非净利润-1.53亿元。单季度主营收入1.81亿元，同比增长37.43%。负债率为5.28%。最近90天内，有1家机构给予买入评级。近三个月融资净流入2.49亿元，融券净流入99.64万元。

总而言之，东芯股份在中小容量存储芯片市场占据一定地位，并积极拓展车规级市场和利基型市场，但仍面临着市场竞争和盈利挑战。